АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ВЛИЯНИЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ФОТОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИК-ДИАПАЗОНА
Ключові слова:
параметрическая надежность, фотоприемные устройства, критерий работоспособности, ионизирующее излучение, кристаллическая структураАнотація
Для фотоприемных устройств обнаружено существенное улучшение эксплуатационных свойств при воздействии излучений. Это открывает широкие возможности для успешного применения в радиотехнике модифицируемых в процессе облучения материалов.
Критерий параметрической надежности фотоприемных устройств сформулирован, исходя из того, что рассматриваемый объект ухудшает свои параметры постепенно как при увеличении длительности воздействия, так и дозы излучения. Назначение фотоприемных устройств, накладываемые ограничения на критерий их работоспособности, а также физика влияния радиации позволяют рассматривать фотоприемные устройства как объект, функционирующий в условиях шума. Это позволяет применить статистические методы анализа. При таком подходе мы можем использовать хорошо изученный математический аппарат проверки статистических гипотез. В данной работе предложена аналитическая модель влияния ионизирующего излучения на фоторезисторы для ИК-диапазона. В работе учитывалось, что для приведенных выше оценок изменений параметров фоторезистора используются данные об изменении объемных свойств идеального полупроводникового материала. Любой реальный полупроводник содержит примеси и нарушения кристаллической структуры. При таком подходе используется известный математический аппарат проверки статистических гипотез. Предлагаются три критерия радиационной стойкости фотоприемных устройств. Первый – отношение сигнал/шум в трактовке достаточных статистик, второй – критерий средней ошибки обнаружения Рош (критерий Котельникова) и третий – критерий Байесовского риска. Задача обнаружения сигнала в шумах сводится к частному алгоритму проверки гипотезы о наличии сигнала в шумах против простой альтернативы – присутствует только шум.
